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June 24, 2022

अर्ध-द्रव सामग्री भरने के वाल्व व्यास का निर्धारण करने के लिए सैद्धांतिक आधार - एंटी-ड्रिप डिजाइन

अर्ध-द्रव 1000-10000mPa · s की चिपचिपाहट सीमा के साथ द्रव सामग्री को संदर्भित करता है।इस तरह की सामग्री को भरते समय, अक्सर भरने वाले वाल्व व्यास चयन के कारण उचित नहीं होता है और रिसाव की स्थिति होती है, जो न केवल भरने की सटीकता को प्रभावित करती है, बल्कि प्रदूषण का कारण बनती है।

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वास्तविक भरने में, चिपचिपा सामग्री की भरने की समस्या को अक्सर कैलिबर को कई बार बदलकर या सहायक तंत्र का उपयोग करके हल किया जाता है।यह विधि न केवल समय लेने वाली और श्रमसाध्य है, बल्कि विनिर्माण लागत को भी बढ़ाती है।यदि सैद्धांतिक रूप से इसका विश्लेषण किया जा सकता है, तो सामग्री के सतह तनाव का उपयोग शुरू में टपकने से रोकने के लिए किया जा सकता है, और भरने वाले वाल्व के कैलिबर को गणना विधि द्वारा चुना जा सकता है, और फिर एक अच्छा प्रभाव प्राप्त होगा।

यह पत्र मुख्य रूप से भरने वाले वाल्व के व्यास पर अर्ध-द्रव सामग्री की चिपचिपाहट, तापमान और सतह तनाव के प्रभाव का विश्लेषण करता है, और अंत में भरने वाले वाल्व के इष्टतम व्यास को निर्धारित करता है।

1. अर्ध-तरल पदार्थ की चिपचिपाहट और तापमान के बीच संबंध.

अर्ध-द्रव सामग्री की चिपचिपाहट तापमान से बहुत प्रभावित होती है और आमतौर पर तेजी से घट जाती है।चूंकि प्रयोग द्वारा मापा गया अर्ध-तरल पदार्थ की चिपचिपाहट और तापमान के बीच संबंध केवल कुछ अलग बिंदु हैं, विश्लेषण की सुविधा के लिए, यह पेपर सटीकता सुनिश्चित करने के आधार पर अपेक्षाकृत सरल गणितीय मॉडल का निर्माण करता है।प्रायोगिक आंकड़ों के आधार पर, बहुपद प्रतिगमन विधि का उपयोग करके अर्ध-तरल पदार्थ की चिपचिपाहट और तापमान के बीच संबंध का निर्माण किया जाता है।निम्न तालिका:

 

अस्थायी / ℃ 20 30 40 50
चिपचिपापन × 102/(पास 7.4022 4.8316 2.8921 1.7973
अस्थायी / ℃ 60 75 85 95
श्यानता×102/(पास 1.0338 0.8387 0.7412 0.5719

 

2. श्यानता और पृष्ठ तनाव के बीच संबंध।

अर्ध-तरल पदार्थों की चिपचिपाहट और सतह तनाव दोनों तापमान के साथ बदलते हैं।जैसे-जैसे सामग्री का तापमान बढ़ता है, इसके संतुलन की स्थिति में अणुओं के कंपन का आयाम बढ़ता है, विश्राम का समय तेजी से बढ़ता है, और अणुओं की प्रसार दर बढ़ जाती है;उसी समय, जैसे-जैसे तापमान बढ़ता है, बड़े तापीय गतिज ऊर्जा वाले वे अणु वस्तु के अणुओं के गुरुत्वाकर्षण आकर्षण को दूर कर सकते हैं और वाष्पीकृत अणु बन सकते हैं, इसलिए वस्तु का घनत्व कम हो जाता है, अणुओं का आकर्षक बल भी कम हो जाता है। , और सतह की संभावित ऊर्जा तदनुसार घट जाती है।इसलिए, चिपचिपाहट और सतह तनाव तदनुसार कम हो जाता है।यह इस कारण का सैद्धांतिक विश्लेषण है कि तापमान में वृद्धि के साथ सामग्री की चिपचिपाहट और सतह तनाव कम क्यों हो जाता है।चिपचिपाहट और सतह तनाव के बीच अधिक सटीक मात्रात्मक संबंध प्राप्त करने के लिए, चिपचिपाहट और सतह तनाव के संबंधित मूल्यों को विभिन्न तापमानों पर मापा गया, जैसा कि निम्न तालिका में दिखाया गया है:

 

चिपचिपापन × 102/(पास 7.4022 4.8316 2.8921 1.7973
सतह तनाव × 10-2/(N·m-1मैं 7.275 7.118 6.824 6.609
चिपचिपापन × 102/(पास 1.0338 0.8387 0.7412 0.5719
सतह तनाव × 10-2/(N·m-1मैं 6.322 6.251 6.186 6.037

 

3.सतह तनाव और कैलिबर के बीच संबंध।

सतह तनाव और भरने वाले वाल्व के व्यास के बीच संबंध का निर्धारण करते समय, ड्रॉप वॉल्यूम विधि द्वारा सतह तनाव को मापने के प्रयोगात्मक सिद्धांत को आधार के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है।द्रव को स्थानांतरित करने के लिए ड्रॉपर का उपयोग धीरे-धीरे सामग्री को गिराने के लिए किया जाता है।जब बूंद गिरने वाली हो, तो ड्रॉपर की नोक की परिधि की लंबाई से गुणा करके ड्रॉपर के द्रव्यमान के बराबर तरल के सतह तनाव पर विचार करें।ड्रॉपलेट गिराए जाने के बाद, ड्रॉपर के सामने के छोर पर अभी भी कुछ तरल बचा होगा, और ड्रॉपर ड्रॉप की सतह ड्रॉपर के लंबवत नहीं होती है, इसलिए आमतौर पर एक सुधार पेश करना आवश्यक होता है कारक एफ। सुधार कारक सटीक प्रयोगों और गणितीय विश्लेषण विधियों के माध्यम से पूर्ववर्तियों द्वारा स्थापित अनुभवजन्य डेटा है।सुधार और पूरक की एक श्रृंखला के बाद, सुधार कारक धीरे-धीरे प्राप्त किया जाता है।

 

4.निष्कर्ष:

यह ऊपर विश्लेषण किए गए कई संबंधपरक मॉडलों से देखा जा सकता है कि जब आवश्यक भरने का तापमान स्थिर होता है, तो पहले इस तापमान पर तरल पदार्थ की चिपचिपाहट निर्धारित करें, फिर इस समय सतह के तनाव का निर्धारण करें, और अंत में भरने वाले वाल्व के व्यास की गणना करें।जब वास्तविक भरने वाले वाल्व का व्यास परिकलित व्यास से कम या उसके बराबर होता है, तो सामग्री को इसके सतह तनाव के माध्यम से टपकने से रोका जा सकता है।भरने वाले वाल्व के व्यास पर यह सैद्धांतिक अध्ययन भरने वाले वाल्व के तंत्र डिजाइन को सरल बनाने के उद्देश्य को प्राप्त करता है, और इसका कुछ व्यावहारिक मूल्य है।नए तंत्र और घटकों को जोड़ने के साथ, टपकने की घटना को बेहतर ढंग से रोका जा सकता है।

2022-06-22

लेखक:रॉबिन

 

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